DOPING DAN PASIVASI BAHAN SEMIKONDUKTOR CuIn1-xGaxSe2 DENGAN ION IMPLANTASI H+

Rezavidi, Arya and Budiarto, and Arslan, Achmad (1998) DOPING DAN PASIVASI BAHAN SEMIKONDUKTOR CuIn1-xGaxSe2 DENGAN ION IMPLANTASI H+. In: Prosiding Pertemuan Ilmiah Sains Materi III. BATAN, pp. 374-378. ISBN 1410 2897

[img]
Preview
Text
Prosiding PPIM 3 1998.pdf

Download (1MB) | Preview

Abstract

DOPING DAN PASIVASI BAHAN SEMIKONDUKTOR CuInl-.Ga,Se1 DENGAN ION IMPLANTASI H+. Kristal tunggal Culnl_"Ga"Se1 dengan tipe konduktifitas bahan n clan p telah berhasil diimplantasi dengan ion hydrogen yang diperkuat sebesar 40 keY (dosis 2xlOl5 to 6xlOl5 cm-3) pada suhu kamar. Terlihat bahwa bagian permukaan pada sampel tipe -p CulnSe terjadi perubahan konduktififus setelah mengalami tembakan ion dengan dosis 3xlOl5 cm'3. Teknik ion implanfusi terbukti cuku~ ampuh dalam mengontrol perubahan permukaan bahan semikonduktor Culn,_"Ga"Se1 secara lokal terhadap populasi cacat intrinsik clan pembuatan 'homojunction' serta lapisan yang diproduks\ dapat dipakai dalam aplikasi divais photovolatic.

Item Type: Book Section
Subjects: TECHNOLOGY > Chemical technology
Depositing User: Edi Wibowo
Date Deposited: 08 Aug 2018 07:17
Last Modified: 22 Jan 2019 08:57
URI: http://repository.uki.ac.id/id/eprint/113

Actions (login required)

View Item View Item