PENUMBUHAN KRISTAL TUNGGAL SENYAWA TERNARY CuInSe2 DENGAN METODE BRIGDMAN TEGAK TERMODIFIKASI

Budiarto, Budiarto and Arslan, Achmad (1997) PENUMBUHAN KRISTAL TUNGGAL SENYAWA TERNARY CuInSe2 DENGAN METODE BRIGDMAN TEGAK TERMODIFIKASI. In: Prosidin Pertemuan Ilmiah Sains Materi 1997. BATAN, pp. 412-416. ISBN 1410 2897

Preview

Text Prosiding PPIM 1997.pdf Download (1MB) | Preview

Abstract

Senyawa ternary CulnSe, adalah salah satu bahan semikonduktor yang penggunaannya sebagai divais optoelektronik. Salah satu syarat yang harus dipenuhi bahan ini harus kristal tunggal. Untuk itu dilakukan penumbuhan kristal tunggal dari senyawa ternary CulnSe,. Metode yang digunakan dalarn penumbuhan kristal lunggal ini adalah metode Bridgman tegak termodifikasi. Dalam metode ini digunakan peralatan dua tungku terprogram yaitu tungku satu zone terprogram untuk menumbuhkan polikristal dan dua zone (zone hot dan zone cold) terprograrn untuk menumbuhkan kristal tunggal. Hasil penumbuhan berbentuk kerucut dengan panjang 36.5 mm dan diameter 13 mm. Kemudian cuplikan dipotong bentuk wafer setebal 1,5 mm dengan mesin pemotong kristal, selanjutnya dikarakterisasi terhadap komposisi unsur dengan ICP-ES, dan sifat konduktivitas listrik serta tipe semikonduktomya dengan alaI Probe empat titik. Adapun hasil analisa komposisi unsur ingot CulnSe, bagian alas 19,16%:t0,90, bagian tengah 34,39%:t1,20, dan bagian bawah 47,01%:t0,35. Konduktivitas listrik ingot bagian alas 0,017 -0,083 S/Cm, bagian tengah 0,017 - 0,035 S/Cm adapun bagian bawah 0,015 -0,095 S/Cm, serta semikonduktomya bertipe-p pada semua bagian.

Actions (login required)

View Item